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2EDR9259XXUMA1
栅极驱动器, EiceDRIVER, 2 放大器, 隔离式, 高压侧，低压侧，半桥, GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET, 14 引脚, SOIC
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|---|---|
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| 10+ | CNY11.360 (CNY12.8368) |
| 50+ | CNY10.750 (CNY12.1475) |
| 100+ | CNY10.140 (CNY11.4582) |
| 250+ | CNY9.530 (CNY10.7689) |
| 500+ | CNY9.230 (CNY10.4299) |
| 1000+ | CNY8.620 (CNY9.7406) |
| 2500+ | CNY8.450 (CNY9.5485) |
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产品概述
2EDR9259XXUMA1 是一款 EiceDRIVER™ 双通道隔离栅极驱动器 IC，专为驱动 Si 和 SiC MOSFET 以及 GaN HEMT 功率开关而设计。它适用于总线电压较高或污染程度较高的应用，通常可简化 PCB 布线。 该器件可作为双通道低侧、双通道高侧或半桥栅极驱动器工作，并具有可配置的死区时间。凭借出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、较低的器件间时序偏差以及快速的信号传播速度，该系列产品最适合用于快速开关电源转换系统。 潜在应用领域包括服务器、电信开关电源、电动汽车车载外充、低压驱动器和电动工具、太阳能微型逆变器、太阳能优化器、工业电源（开关电源、家用UPS）。 隔离与安全认证包括：UL1577（VISO=5700VRMS）、VDE0884-11（VIOTM=8000Vpk，VIORM=1767Vpk，VIOSM=6875Vpk）、IEC 60747-17、IEC62368-1、 GB 4943.1-2022。
- 在 VDDA/B < UVLO 时，输出快速钳位
- VDDI引脚的输入电源电压范围为3至17V（最小值由UVLOVDDI定义）
- IVDDI 静态电流在无开关状态下典型值为 1.67mA，TJ = 25°C
- 在 TJ = 25°C 时，INx 至 OUTx 的关断传播延迟典型值为 36ns
- 在 TJ = 25°C 时，脉冲宽度失真典型值为 2 ns
- 当 CLOAD = 1.8nF、TJ = 25°C 时，上升时间为 7.5ns（典型值）
- 在 CLOAD = 1.8nF、TJ = 25°C 时，下降时间为 6ns（典型值）
- 静态共模瞬态抗扰度在 VCM = 1500V 时不低于 150V/ns；INA、INB 连接至 VDDI
- DSO14-300mil 封装
- 环境温度范围为 -40 至 125°C
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧，低压侧，半桥
针脚数
14引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
5A
电源电压最小值
3V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
38ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
逻辑器件
灌电流
9A
电源电压最大值
17V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
36ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Indonesia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Indonesia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423919
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001