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栅极驱动器 :
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道数 | 栅极驱动器类型 | 驱动配置 | 电源开关类型 | 针脚数 | IC 外壳 / 封装 | 芯片安装 | 输入类型 | 拉电流 | 灌电流 | 电源电压最小值 | 电源电压最大值 | 工作温度最小值 | 工作温度最高值 | 输入延迟 | 输出延迟 | 合规 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY14.020(CNY15.8426) 10+ CNY9.460(CNY10.6898) 50+ CNY9.280(CNY10.4864) 100+ CNY9.090(CNY10.2717) 250+ CNY8.900(CNY10.057) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相 | 1.5A | 1.5A | 6.5V | 18V | -40°C | 85°C | 35ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.900(CNY22.487) 10+ CNY13.550(CNY15.3115) 50+ CNY12.820(CNY14.4866) 100+ CNY12.090(CNY13.6617) 250+ CNY11.440(CNY12.9272) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY18.820(CNY21.2666) 10+ CNY12.810(CNY14.4753) 50+ CNY12.120(CNY13.6956) 100+ CNY11.430(CNY12.9159) 250+ CNY10.820(CNY12.2266) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | Si MOSFET | 13引脚 | TFLGA | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY17.920(CNY20.2496) 10+ CNY13.230(CNY14.9499) 50+ CNY12.450(CNY14.0685) 100+ CNY11.810(CNY13.3453) 250+ CNY11.200(CNY12.656) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | Si MOSFET | 13引脚 | LGA | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY10.820(CNY12.2266) 10+ CNY6.380(CNY7.2094) 50+ CNY6.070(CNY6.8591) 100+ CNY5.990(CNY6.7687) 250+ CNY5.910(CNY6.6783) 更多价格信息... | 2放大器 | - | - | MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相 | 1.5A | 1.5A | 6.5V | 18V | 0°C | 70°C | 35ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY12.530(CNY14.1589) 10+ CNY8.620(CNY9.7406) 50+ CNY8.190(CNY9.2547) 100+ CNY7.760(CNY8.7688) 250+ CNY7.400(CNY8.362) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相 | 1.5A | 1.5A | 6.5V | 18V | 0°C | 70°C | 35ns | 36ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY10.900(CNY12.317) 10+ CNY6.430(CNY7.2659) 50+ CNY6.420(CNY7.2546) 100+ CNY6.320(CNY7.1416) 250+ CNY6.210(CNY7.0173) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相 | 1.5A | 1.5A | 6.5V | 18V | -40°C | 85°C | 35ns | 36ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY11.050(CNY12.4865) 10+ CNY8.090(CNY9.1417) 50+ CNY6.870(CNY7.7631) 100+ CNY6.480(CNY7.3224) 250+ CNY6.360(CNY7.1868) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | MOSFET | 8引脚 | DIP | 通孔安装 | 反相 | 1.5A | 1.5A | 6.5V | 18V | -40°C | 85°C | 35ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY10.680(CNY12.0684) 10+ CNY7.080(CNY8.0004) 50+ CNY6.680(CNY7.5484) 100+ CNY6.280(CNY7.0964) 250+ CNY5.880(CNY6.6444) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | - | MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相 | 1.5A | 1.5A | 6.5V | 18V | -40°C | 125°C | 35ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.180(CNY21.6734) 10+ CNY12.980(CNY14.6674) 50+ CNY12.300(CNY13.899) 100+ CNY11.610(CNY13.1193) 250+ CNY10.970(CNY12.3961) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 150°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY28.950(CNY32.7135) 10+ CNY21.930(CNY24.7809) 25+ CNY20.130(CNY22.7469) 50+ CNY19.150(CNY21.6395) 100+ CNY18.170(CNY20.5321) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 36ns | 36ns | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY20.570(CNY23.2441) 10+ CNY13.930(CNY15.7409) 50+ CNY13.190(CNY14.9047) 100+ CNY12.450(CNY14.0685) 250+ CNY11.770(CNY13.3001) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.180(CNY21.6734) 10+ CNY12.980(CNY14.6674) 50+ CNY12.300(CNY13.899) 100+ CNY11.610(CNY13.1193) 250+ CNY10.970(CNY12.3961) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY16.840(CNY19.0292) 10+ CNY12.120(CNY13.6956) 50+ CNY11.130(CNY12.5769) 100+ CNY10.140(CNY11.4582) 250+ CNY9.530(CNY10.7689) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 150°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.180(CNY21.6734) 10+ CNY12.980(CNY14.6674) 50+ CNY12.300(CNY13.899) 100+ CNY11.610(CNY13.1193) 250+ CNY10.970(CNY12.3961) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY16.840(CNY19.0292) 10+ CNY11.360(CNY12.8368) 50+ CNY10.750(CNY12.1475) 100+ CNY10.140(CNY11.4582) 250+ CNY9.530(CNY10.7689) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY20.570(CNY23.2441) 10+ CNY13.930(CNY15.7409) 50+ CNY13.190(CNY14.9047) 100+ CNY12.450(CNY14.0685) 250+ CNY11.770(CNY13.3001) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.180(CNY21.6734) 10+ CNY12.980(CNY14.6674) 50+ CNY12.300(CNY13.899) 100+ CNY11.610(CNY13.1193) 250+ CNY10.970(CNY12.3961) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY14.950(CNY16.8935) 10+ CNY9.660(CNY10.9158) 50+ CNY9.090(CNY10.2717) 100+ CNY8.500(CNY9.605) 250+ CNY7.930(CNY8.9609) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥、高压侧和低压侧 | GaN HEMT, Si MOSFET | 13引脚 | SON-EP | 表面安装 | 非反向 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY18.820(CNY21.2666) 10+ CNY12.720(CNY14.3736) 50+ CNY12.040(CNY13.6052) 100+ CNY11.360(CNY12.8368) 250+ CNY10.750(CNY12.1475) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY13.460(CNY15.2098) 10+ CNY10.210(CNY11.5373) 50+ CNY9.390(CNY10.6107) 100+ CNY8.940(CNY10.1022) 250+ CNY8.490(CNY9.5937) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥、高压侧和低压侧 | GaN HEMT, Si MOSFET | 13引脚 | SON-EP | 表面安装 | 非反向 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY33.670(CNY38.0471) 10+ CNY25.430(CNY28.7359) 25+ CNY23.030(CNY26.0239) 50+ CNY22.570(CNY25.5041) 100+ CNY22.110(CNY24.9843) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 36ns | 36ns | AEC-Q100 | ||||||
每个 | 1+ CNY8.380(CNY9.4694) 10+ CNY7.160(CNY8.0908) 50+ CNY5.540(CNY6.2602) 100+ CNY4.550(CNY5.1415) 250+ CNY4.380(CNY4.9494) 更多价格信息... | 2放大器 | 非隔离 | 低压侧 | MOSFET | 8引脚 | DIP | 通孔安装 | 反相 | 1.5A | 1.5A | 6.5V | 18V | 0°C | 70°C | 35ns | 36ns | - | ||||||
