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高压侧，低压侧，半桥 栅极驱动器 :
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道数 | 栅极驱动器类型 | 驱动配置 | 电源开关类型 | 针脚数 | IC 外壳 / 封装 | 芯片安装 | 输入类型 | 拉电流 | 灌电流 | 电源电压最小值 | 电源电压最大值 | 工作温度最小值 | 工作温度最高值 | 输入延迟 | 输出延迟 | 合规 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.180(CNY21.6734) 10+ CNY12.980(CNY14.6674) 50+ CNY12.300(CNY13.899) 100+ CNY11.610(CNY13.1193) 250+ CNY10.970(CNY12.3961) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 150°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY27.200(CNY30.736) 10+ CNY24.490(CNY27.6737) 25+ CNY23.040(CNY26.0352) 50+ CNY21.400(CNY24.182) 100+ CNY19.950(CNY22.5435) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 6.5A | 6.5A | 3.3V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY28.790(CNY32.5327) 10+ CNY21.710(CNY24.5323) 25+ CNY19.960(CNY22.5548) 50+ CNY18.980(CNY21.4474) 100+ CNY17.990(CNY20.3287) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY31.240(CNY35.3012) 10+ CNY28.120(CNY31.7756) 25+ CNY26.450(CNY29.8885) 50+ CNY24.580(CNY27.7754) 100+ CNY22.920(CNY25.8996) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 6.5A | 6.5A | 3.3V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY28.950(CNY32.7135) 10+ CNY21.930(CNY24.7809) 25+ CNY20.130(CNY22.7469) 50+ CNY19.150(CNY21.6395) 100+ CNY18.170(CNY20.5321) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 36ns | 36ns | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY26.560(CNY30.0128) 10+ CNY20.060(CNY22.6678) 25+ CNY18.390(CNY20.7807) 50+ CNY17.520(CNY19.7976) 100+ CNY16.660(CNY18.8258) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY20.070(CNY22.6791) 10+ CNY13.620(CNY15.3906) 50+ CNY12.940(CNY14.6222) 100+ CNY12.260(CNY13.8538) 250+ CNY11.530(CNY13.0289) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | DSO | 表面安装 | 逻辑器件 | 6A | 6.5A | 3V | 16.5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY21.610(CNY24.4193) 10+ CNY14.610(CNY16.5093) 50+ CNY13.880(CNY15.6844) 100+ CNY13.150(CNY14.8595) 250+ CNY12.370(CNY13.9781) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | DSO | 表面安装 | 逻辑器件 | 6A | 6.5A | 3V | 16.5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.900(CNY22.487) 10+ CNY13.550(CNY15.3115) 50+ CNY12.820(CNY14.4866) 100+ CNY12.090(CNY13.6617) 250+ CNY11.440(CNY12.9272) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY20.570(CNY23.2441) 10+ CNY13.930(CNY15.7409) 50+ CNY13.190(CNY14.9047) 100+ CNY12.450(CNY14.0685) 250+ CNY11.770(CNY13.3001) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY18.820(CNY21.2666) 10+ CNY12.810(CNY14.4753) 50+ CNY12.120(CNY13.6956) 100+ CNY11.430(CNY12.9159) 250+ CNY10.820(CNY12.2266) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | Si MOSFET | 13引脚 | TFLGA | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY17.600(CNY19.888) 10+ CNY11.820(CNY13.3566) 50+ CNY11.210(CNY12.6673) 100+ CNY10.590(CNY11.9667) 250+ CNY9.990(CNY11.2887) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | DSO | 表面安装 | 逻辑器件 | 6A | 6.5A | 3V | 16.5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY17.920(CNY20.2496) 10+ CNY13.230(CNY14.9499) 50+ CNY12.450(CNY14.0685) 100+ CNY11.810(CNY13.3453) 250+ CNY11.200(CNY12.656) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | Si MOSFET | 13引脚 | LGA | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.180(CNY21.6734) 10+ CNY12.980(CNY14.6674) 50+ CNY12.300(CNY13.899) 100+ CNY11.610(CNY13.1193) 250+ CNY10.970(CNY12.3961) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY16.840(CNY19.0292) 10+ CNY12.120(CNY13.6956) 50+ CNY11.130(CNY12.5769) 100+ CNY10.140(CNY11.4582) 250+ CNY9.530(CNY10.7689) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 150°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.180(CNY21.6734) 10+ CNY12.980(CNY14.6674) 50+ CNY12.300(CNY13.899) 100+ CNY11.610(CNY13.1193) 250+ CNY10.970(CNY12.3961) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY16.840(CNY19.0292) 10+ CNY11.360(CNY12.8368) 50+ CNY10.750(CNY12.1475) 100+ CNY10.140(CNY11.4582) 250+ CNY9.530(CNY10.7689) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY20.570(CNY23.2441) 10+ CNY13.930(CNY15.7409) 50+ CNY13.190(CNY14.9047) 100+ CNY12.450(CNY14.0685) 250+ CNY11.770(CNY13.3001) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.180(CNY21.6734) 10+ CNY12.980(CNY14.6674) 50+ CNY12.300(CNY13.899) 100+ CNY11.610(CNY13.1193) 250+ CNY10.970(CNY12.3961) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY18.820(CNY21.2666) 10+ CNY12.720(CNY14.3736) 50+ CNY12.040(CNY13.6052) 100+ CNY11.360(CNY12.8368) 250+ CNY10.750(CNY12.1475) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY32.950(CNY37.2335) 10+ CNY24.950(CNY28.1935) 25+ CNY22.960(CNY25.9448) 50+ CNY21.840(CNY24.6792) 100+ CNY20.720(CNY23.4136) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY36.250(CNY40.9625) 10+ CNY27.650(CNY31.2445) 25+ CNY24.760(CNY27.9788) 50+ CNY23.890(CNY26.9957) 100+ CNY23.010(CNY26.0013) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 6.5A | 6.5A | 3.3V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY38.060(CNY43.0078) 10+ CNY28.960(CNY32.7248) 25+ CNY25.990(CNY29.3687) 50+ CNY25.080(CNY28.3404) 100+ CNY24.160(CNY27.3008) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 6.5A | 6.5A | 3.3V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY28.790(CNY32.5327) 10+ CNY21.710(CNY24.5323) 25+ CNY19.960(CNY22.5548) 50+ CNY18.980(CNY21.4474) 100+ CNY17.990(CNY20.3287) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 38ns | 38ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY33.670(CNY38.0471) 10+ CNY25.430(CNY28.7359) 25+ CNY23.030(CNY26.0239) 50+ CNY22.570(CNY25.5041) 100+ CNY22.110(CNY24.9843) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 36ns | 36ns | AEC-Q100 | ||||||
