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高压侧，低压侧，半桥 栅极驱动器 :
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道数 | 栅极驱动器类型 | 驱动配置 | 电源开关类型 | 针脚数 | IC 外壳 / 封装 | 芯片安装 | 输入类型 | 拉电流 | 灌电流 | 电源电压最小值 | 电源电压最大值 | 工作温度最小值 | 工作温度最高值 | 输入延迟 | 输出延迟 | 合规 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY16.290(CNY18.4077) 10+ CNY11.060(CNY12.4978) 50+ CNY10.470(CNY11.8311) 100+ CNY9.870(CNY11.1531) 250+ CNY9.350(CNY10.5655) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY18.300(CNY20.679) 10+ CNY12.410(CNY14.0233) 50+ CNY11.730(CNY13.2549) 100+ CNY11.050(CNY12.4865) 250+ CNY10.490(CNY11.8537) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | Si MOSFET | 13引脚 | TFLGA | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY27.200(CNY30.736) 10+ CNY24.490(CNY27.6737) 25+ CNY23.040(CNY26.0352) 50+ CNY21.400(CNY24.182) 100+ CNY19.950(CNY22.5435) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 6.5A | 6.5A | 3.3V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY38.060(CNY43.0078) 10+ CNY29.030(CNY32.8039) 25+ CNY26.710(CNY30.1823) 50+ CNY25.440(CNY28.7472) 100+ CNY24.160(CNY27.3008) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 6.5A | 6.5A | 3.3V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY28.950(CNY32.7135) 10+ CNY21.930(CNY24.7809) 25+ CNY20.130(CNY22.7469) 50+ CNY19.150(CNY21.6395) 100+ CNY18.170(CNY20.5321) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 36ns | 36ns | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY26.560(CNY30.0128) 10+ CNY20.060(CNY22.6678) 25+ CNY18.390(CNY20.7807) 50+ CNY17.520(CNY19.7976) 100+ CNY16.660(CNY18.8258) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY17.570(CNY19.8541) 10+ CNY11.930(CNY13.4809) 50+ CNY11.290(CNY12.7577) 100+ CNY10.640(CNY12.0232) 250+ CNY10.080(CNY11.3904) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET, GaN HEMT | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 150°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY27.360(CNY30.9168) 10+ CNY20.630(CNY23.3119) 25+ CNY18.970(CNY21.4361) 50+ CNY18.040(CNY20.3852) 100+ CNY17.100(CNY19.323) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY16.690(CNY18.8597) 10+ CNY11.280(CNY12.7464) 50+ CNY10.670(CNY12.0571) 100+ CNY10.060(CNY11.3678) 250+ CNY9.530(CNY10.7689) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY18.300(CNY20.679) 10+ CNY12.410(CNY14.0233) 50+ CNY11.730(CNY13.2549) 100+ CNY11.050(CNY12.4865) 250+ CNY10.490(CNY11.8537) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY15.940(CNY18.0122) 10+ CNY10.800(CNY12.204) 50+ CNY10.240(CNY11.5712) 100+ CNY9.680(CNY10.9384) 250+ CNY9.120(CNY10.3056) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | DSO | 表面安装 | 逻辑器件 | 6A | 6.5A | 3V | 16.5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY15.120(CNY17.0856) 10+ CNY10.900(CNY12.317) 50+ CNY10.060(CNY11.3678) 100+ CNY9.730(CNY10.9949) 250+ CNY9.390(CNY10.6107) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 150°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY18.450(CNY20.8485) 10+ CNY12.500(CNY14.125) 50+ CNY11.850(CNY13.3905) 100+ CNY11.200(CNY12.656) 250+ CNY10.560(CNY11.9328) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | DSO | 表面安装 | 逻辑器件 | 6A | 6.5A | 3V | 16.5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY18.450(CNY20.8485) 10+ CNY12.500(CNY14.125) 50+ CNY11.850(CNY13.3905) 100+ CNY11.200(CNY12.656) 250+ CNY10.560(CNY11.9328) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET | 14引脚 | DSO | 表面安装 | 逻辑器件 | 6A | 6.5A | 3V | 16.5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY38.060(CNY43.0078) 10+ CNY29.030(CNY32.8039) 25+ CNY26.400(CNY29.832) 50+ CNY25.280(CNY28.5664) 100+ CNY24.160(CNY27.3008) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 6.5A | 6.5A | 3.3V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY36.250(CNY40.9625) 10+ CNY27.650(CNY31.2445) 25+ CNY25.140(CNY28.4082) 50+ CNY24.080(CNY27.2104) 100+ CNY23.010(CNY26.0013) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 非反向 | 6.5A | 6.5A | 3.3V | 20V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY32.950(CNY37.2335) 10+ CNY24.950(CNY28.1935) 25+ CNY22.960(CNY25.9448) 50+ CNY21.840(CNY24.6792) 100+ CNY20.720(CNY23.4136) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY28.790(CNY32.5327) 10+ CNY21.710(CNY24.5323) 25+ CNY19.960(CNY22.5548) 50+ CNY18.980(CNY21.4474) 100+ CNY17.990(CNY20.3287) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 38ns | 38ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY32.070(CNY36.2391) 10+ CNY24.230(CNY27.3799) 25+ CNY21.940(CNY24.7922) 50+ CNY21.030(CNY23.7639) 100+ CNY20.110(CNY22.7243) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 36ns | 36ns | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY15.780(CNY17.8314) 10+ CNY11.370(CNY12.8481) 50+ CNY10.500(CNY11.865) 100+ CNY10.150(CNY11.4695) 250+ CNY9.800(CNY11.074) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | Si MOSFET | 13引脚 | LGA | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | ||||||
