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栅极驱动器 :
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道数 | 栅极驱动器类型 | 驱动配置 | 电源开关类型 | 驱动器封装类型 | 针脚数 | IC 外壳 / 封装 | 芯片安装 | 输入类型 | 拉电流 | 灌电流 | 电源电压最小值 | 电源电压最大值 | 工作温度最小值 | 工作温度最高值 | 输入延迟 | 输出延迟 | 产品范围 | 合规 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 定价不可用。 请联系客户服务。 | - | - | 半桥 | MOSFET | - | 48引脚 | LQFP | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 150°C | 90ns | 90ns | - | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY17.150(CNY19.3795) 10+ CNY11.650(CNY13.1645) 50+ CNY11.050(CNY12.4865) 100+ CNY10.440(CNY11.7972) 250+ CNY10.040(CNY11.3452) | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | MOSFET | - | 16引脚 | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 3.5V | -40°C | 85°C | 37ns | 37ns | EiceDRIVER 2EDi | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY20.260(CNY22.8938) 10+ CNY15.170(CNY17.1421) 25+ CNY13.870(CNY15.6731) 50+ CNY13.150(CNY14.8595) 100+ CNY12.420(CNY14.0346) 更多价格信息... | 1放大器 | 非隔离 | 高压侧 | MOSFET | - | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 350mA | 350mA | 3V | 36V | -40°C | 125°C | 1.5ns | - | - | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY14.440(CNY16.3172) 10+ CNY9.690(CNY10.9497) 50+ CNY9.130(CNY10.3169) 100+ CNY8.570(CNY9.6841) 250+ CNY8.060(CNY9.1078) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | GaN、Si MOSFET、SiC MOSFET | - | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 5.4A | 9.8A | 3V | 15V | -40°C | 125°C | 45ns | 45ns | - | - | ||||||
INFINEON | 单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY48.100(CNY54.353) 10+ CNY36.750(CNY41.5275) 25+ CNY33.930(CNY38.3409) 50+ CNY32.370(CNY36.5781) 100+ CNY30.800(CNY34.804) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | - | |||||
INFINEON | 单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY44.190(CNY49.9347) 10+ CNY33.680(CNY38.0584) 25+ CNY31.030(CNY35.0639) 50+ CNY29.630(CNY33.4819) 100+ CNY28.220(CNY31.8886) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY22.930(CNY25.9109) 10+ CNY17.220(CNY19.4586) 25+ CNY15.770(CNY17.8201) 50+ CNY14.980(CNY16.9274) 100+ CNY14.180(CNY16.0234) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | - | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 9A | 18A | 3V | 15V | -40°C | 125°C | 110ns | 110ns | EiceDRIVER 1ED32xxMC12H | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY12.480(CNY14.1024) 10+ CNY7.710(CNY8.7123) 50+ CNY7.300(CNY8.249) 100+ CNY6.880(CNY7.7744) 250+ CNY6.490(CNY7.3337) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | MOSFET, SiC MOSFET, GaN功率器件 | - | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 5.4A | 9.8A | 3V | 15V | -40°C | 150°C | 45ns | 45ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY14.440(CNY16.3172) 10+ CNY9.690(CNY10.9497) 50+ CNY9.130(CNY10.3169) 100+ CNY8.570(CNY9.6841) 250+ CNY8.060(CNY9.1078) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET | - | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 6A | 6.5A | 3V | 15V | -40°C | 125°C | 45ns | 45ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.900(CNY22.487) 10+ CNY13.550(CNY15.3115) 50+ CNY12.820(CNY14.4866) 100+ CNY12.090(CNY13.6617) 250+ CNY11.440(CNY12.9272) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | - | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY17.920(CNY20.2496) 10+ CNY13.230(CNY14.9499) 50+ CNY12.450(CNY14.0685) 100+ CNY11.810(CNY13.3453) 250+ CNY11.200(CNY12.656) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | Si MOSFET | - | 13引脚 | LGA | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY20.070(CNY22.6791) 10+ CNY13.620(CNY15.3906) 50+ CNY12.940(CNY14.6222) 100+ CNY12.260(CNY13.8538) 250+ CNY11.530(CNY13.0289) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | IGBT, Si MOSFET, SiC MOSFET | - | 14引脚 | DSO | 表面安装 | 逻辑器件 | 6A | 6.5A | 3V | 16.5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.180(CNY21.6734) 10+ CNY12.980(CNY14.6674) 50+ CNY12.300(CNY13.899) 100+ CNY11.610(CNY13.1193) 250+ CNY10.970(CNY12.3961) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET | - | 14引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 5A | 9A | 3V | 17V | -40°C | 125°C | 38ns | 36ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY33.430(CNY37.7759) 10+ CNY25.290(CNY28.5777) 25+ CNY23.240(CNY26.2612) 50+ CNY22.100(CNY24.973) 100+ CNY20.950(CNY23.6735) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT | - | 20引脚 | SOIC | 表面安装 | PWM | 20A | 20A | 3V | 5.5V | -40°C | 150°C | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY20.260(CNY22.8938) 10+ CNY15.170(CNY17.1421) 25+ CNY13.870(CNY15.6731) 50+ CNY13.150(CNY14.8595) 100+ CNY12.420(CNY14.0346) 更多价格信息... | 1放大器 | - | 高压侧 | MOSFET | - | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 350mA | 350mA | 3V | 36V | -40°C | 125°C | 2µs | 1.5µs | - | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY18.770(CNY21.2101) 250+ CNY18.240(CNY20.6112) 500+ CNY17.600(CNY19.888) 1000+ CNY16.610(CNY18.7693) | 1放大器 | - | 高压侧 | SiC MOSFET | SOIC | 20引脚 | SOIC | - | 非反向 | 20A | 20A | 3V | 5.5V | -40°C | 150°C | 60ns | 60ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY28.130(CNY31.7869) 10+ CNY22.000(CNY24.860) 25+ CNY20.520(CNY23.1876) 50+ CNY19.720(CNY22.2836) 100+ CNY18.770(CNY21.2101) 更多价格信息... | 1放大器 | - | 高压侧 | SiC MOSFET | - | 20引脚 | SOIC | - | 非反向 | 20A | 20A | 3V | 5.5V | -40°C | 150°C | 60ns | 60ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY13.460(CNY15.2098) 10+ CNY9.040(CNY10.2152) 50+ CNY8.520(CNY9.6276) 100+ CNY7.990(CNY9.0287) 250+ CNY7.520(CNY8.4976) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | MOSFET, SiC MOSFET, GaN功率器件 | - | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 5.4A | 9.8A | 3V | 15V | -40°C | 125°C | 45ns | 45ns | EiceDRIVER 1EDBx275F | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY21.350(CNY24.1255) 10+ CNY14.530(CNY16.4189) 50+ CNY13.750(CNY15.5375) 100+ CNY12.970(CNY14.6561) 250+ CNY12.540(CNY14.1702) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT | - | 13引脚 | LGA | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 20V | -40°C | 125°C | 37ns | 37ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY15.540(CNY17.5602) 10+ CNY13.230(CNY14.9499) 25+ CNY12.780(CNY14.4414) | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | SiC MOSFET | - | 16引脚 | NSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 20V | -40°C | 125°C | 37ns | 37ns | EiceDRIVER | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY25.150(CNY28.4195) 10+ CNY17.110(CNY19.3343) 50+ CNY16.250(CNY18.3625) 100+ CNY15.390(CNY17.3907) 250+ CNY14.530(CNY16.4189) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT | - | 16引脚 | NSOIC | 表面安装 | 非反向 | 4A | 8A | 3V | 20V | -40°C | 125°C | 37ns | 35ns | - | - | ||||||
INFINEON | 单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY66.270(CNY74.8851) 10+ CNY51.300(CNY57.969) 25+ CNY47.580(CNY53.7654) 50+ CNY45.510(CNY51.4263) 100+ CNY43.440(CNY49.0872) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY68.260(CNY77.1338) 10+ CNY52.630(CNY59.4719) 25+ CNY48.730(CNY55.0649) 50+ CNY46.590(CNY52.6467) 100+ CNY44.440(CNY50.2172) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | - | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 9A | 9A | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | - | - | ||||||
INFINEON | 单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY42.340(CNY47.8442) 10+ CNY32.300(CNY36.499) 25+ CNY29.780(CNY33.6514) 50+ CNY28.370(CNY32.0581) 100+ CNY26.960(CNY30.4648) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3V | 5.5V | -40°C | 125°C | 244ns | 236ns | EiceDRIVER 1ED | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY28.790(CNY32.5327) 10+ CNY21.710(CNY24.5323) 25+ CNY19.430(CNY21.9559) 50+ CNY18.710(CNY21.1423) 100+ CNY17.990(CNY20.3287) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 0 | MOSFET | - | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | NCP51561 Series | - | ||||||
