2EDR8259HXUMA1

2EDR8259HXUMA1 是一款 EiceDRIVER™ 双通道隔离栅极驱动器 IC，专为驱动 Si 和 SiC MOSFET 以及 GaN HEMT 功率开关而设计。 该器件适用于总线电压较高或污染程度较高的应用场景，通常可简化PCB布线。它提供可选的穿通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能。这使其能够作为双通道低侧、双通道高侧或半桥栅极驱动器工作，并具有可配置的死区时间。 该器件已通过 UL1577 认证，VISO = 5700VRMS（认证编号 E311313）；通过 VDE0884-11 认证，VIOTM = 8000 Vpk，VIORM = 1767 Vpk，VIOSM = 6875 Vpk（认证编号 40052310）； IEC 60747-17（认证编号 40055138）、IEC 62368-1（认证编号 40052310，附录 500Z1）。 该器件适用于服务器、电信开关电源、电动汽车车载外充、低压驱动器和电动工具、太阳能微型逆变器、太阳能优化器以及工业电源（开关电源、家用UPS）等应用。

• 用于 Si 和 SiC MOSFET 以及 GaN HEMT 功率开关的 2 通道隔离栅极驱动器
• 在 VDDA/B <lt/> UVLO 时，输出快速钳位
• 在 (VDDI = 3.3V, VDDA/B = 12V) 时，IVDDI 静态电流典型值为 1.67mA
• 高电平（源极）输出电阻在 (ISRC = 50mA) 时典型值为 0.95 ohm
• 峰值源极输出电流典型值为 5A（CLOAD = 22nF）
• INx 至 OUTx 的导通传播延迟典型值为 38 ns
• 脉冲宽度失真为2ns（典型值）
• 输入下拉电阻典型值为 150kΩ
• 结温范围为 -40°C 至 150°C，DSO16 封装