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2EDB8259FXUMA1
栅极驱动器, EiceDRIVER, 2 放大器, 隔离式, 高压侧，低压侧，半桥, GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET, 16 引脚, SOIC
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产品概述
2EDB8259FXUMA1 是一款 EiceDRIVER™ 双通道隔离栅极驱动器 IC，专为驱动 Si 和 SiC MOSFET 以及 GaN HEMT 功率开关而设计。它适用于总线电压较高或污染程度较高的应用场景，通常可简化 PCB 布线。该器件提供可选的穿通保护 (STP) 和死区时间控制 (DTC) 功能。 这使其能够作为双通道低侧、双通道高侧或半桥栅极驱动器工作，并具有可配置的死区时间。凭借出色的共模干扰抑制能力（CMTI）、较低的器件间时序偏差以及快速的信号传播速度，该系列产品最适合用于快速开关电源转换系统。 潜在应用领域包括服务器、电信开关电源、电动汽车车载外充、低压驱动器和电动工具、太阳能微型逆变器、太阳能优化器、工业电源（开关电源、家用UPS）。 隔离与安全认证包括：UL1577（VISO = 3000VRMS，认证编号 E311313）和 GB 4943.1-2022（认证编号 CQC23001416206）。
- 用于 Si 和 SiC MOSFET 以及 GaN HEMT 功率开关的 2 通道隔离栅极驱动器
- 在 VDDA/B < UVLO 时，输出快速钳位
- 快速 UVLO 恢复时间（<2μs）
- 完全符合工业应用认证要求
- IVDDI 静态电流在无开关操作时典型值为 1.67mA，TJ = 25°C
- VDDI引脚处的输入供电电压最大为17V，下限由UVLOVDDI定义
- 当 CLOAD = 1.8nF 时，上升时间典型值为 7.5ns
- 在 CLOAD = 1.8nF 时，下降时间典型值为 6ns
- DSO16-150mil 封装
- 环境温度范围为 -40 至 125°C
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧，低压侧，半桥
针脚数
16引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
5A
电源电压最小值
3V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
38ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
GaN HEMT, Si MOSFET, SiC MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
逻辑器件
灌电流
9A
电源电压最大值
17V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
36ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423919
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000001