打印页面
SQ4284EY-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.0112 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
3,035 有货
需要更多？
3,035 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY19.120 | CNY19.12 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.120 (CNY21.6056) |
| 10+ | CNY12.280 (CNY13.8764) |
| 100+ | CNY8.390 (CNY9.4807) |
| 500+ | CNY8.010 (CNY9.0513) |
| 1000+ | CNY7.630 (CNY8.6219) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ4284EY-T1_GE3复制
库存编号
复卷3772859RL
切割卷带3772859
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道8A
漏源通态电阻N沟道0.0112ohm
漏源导通电阻P沟道0.0112ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.9W
耗散功率P沟道3.9W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源导通电阻P沟道
0.0112ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.9W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.0112ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.9W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SQ4284EY-T1_GE3 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000257