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双MOSFET :
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制造商
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耗散功率N沟道
=3.9W
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通道类型
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压Vds P沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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漏源通态电阻N沟道
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漏源导通电阻P沟道
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晶体管封装类型
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针脚数
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压Vds P沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 漏源导通电阻P沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 | 产品范围 | 合规 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY18.590(CNY21.0067) 10+ CNY11.960(CNY13.5148) 100+ CNY8.160(CNY9.2208) 500+ CNY7.900(CNY8.927) 1000+ CNY7.630(CNY8.6219) | N通道 | 30V | 30V | 8A | 8A | 0.01ohm | 0.01ohm | SOIC | 8引脚 | 3.9W | 3.9W | 175°C | TrenchFET Series | AEC-Q101 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.120(CNY21.6056) 10+ CNY12.280(CNY13.8764) 100+ CNY8.390(CNY9.4807) 500+ CNY8.010(CNY9.0513) 1000+ CNY7.630(CNY8.6219) | N通道 | 40V | 40V | 8A | 8A | 0.0112ohm | 0.0112ohm | SOIC | 8引脚 | 3.9W | 3.9W | 175°C | TrenchFET Series | AEC-Q101 | ||||||
