打印页面
SSM6N57NU,LF(T
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6N57NU,LF(T复制
制造商标准货期28 周
库存编号
复卷3872306RL
切割卷带3872306
也称为SSM6N57NU ,SSM6N57NU,LF
您的零件号
可订购
制造商标准交货时间：28 周
有货时请通知我
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY3.560 | CNY17.80 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.560 (CNY4.0228) |
| 10+ | CNY2.280 (CNY2.5764) |
| 100+ | CNY1.760 (CNY1.9888) |
| 500+ | CNY1.490 (CNY1.6837) |
| 1000+ | CNY1.130 (CNY1.2769) |
| 5000+ | CNY0.889 (CNY1.0046) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商TOSHIBA
制造商产品编号SSM6N57NU,LF(T复制
制造商标准货期28 周
库存编号
复卷3872306RL
切割卷带3872306
也称为SSM6N57NU ,SSM6N57NU,LF
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续4A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道4A
在电阻RDS（上）0.03ohm
连续漏极电流 Id P沟道4A
漏源通态电阻N沟道0.03ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.03ohm
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
晶体管封装类型SOT-1118
针脚数6引脚
功耗 Pd1W
耗散功率N沟道1W
耗散功率P沟道1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
4A
连续漏极电流 Id N沟道
4A
连续漏极电流 Id P沟道
4A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOT-1118
功耗 Pd
1W
耗散功率P沟道
1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.03ohm
漏源通态电阻N沟道
0.03ohm
漏源导通电阻P沟道
0.03ohm
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000045