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4A 双MOSFET :
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 晶体管极性 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压, Vds | 漏源电压Vds P沟道 | 电流, Id 连续 | 在电阻RDS（上） | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 晶体管安装 | 漏源导通电阻P沟道 | Rds(on)测试电压 | 晶体管封装类型 | 阈值栅源电压最大值 | 针脚数 | 功耗 Pd | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY2.180(CNY2.4634) 500+ CNY1.630(CNY1.8419) 1000+ CNY1.340(CNY1.5142) 5000+ CNY1.090(CNY1.2317) | P沟道 | P通道 | 20V | 20V | 20V | 4A | 0.036ohm | 4A | 4A | 0.036ohm | 表面安装 | 0.036ohm | 10V | UDFN | 1.2V | 6引脚 | 1W | 1W | 1W | 150°C | - | ||||||
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY2.100(CNY2.373) 500+ CNY1.570(CNY1.7741) 1500+ CNY1.300(CNY1.469) | N和P沟道 | N和P沟道 | 20V | 20V | 20V | 4A | 0.025ohm | 4A | 4A | 0.025ohm | 表面安装 | 0.025ohm | 4.5V | UDFN | 1V | 6引脚 | 1W | 1W | 1W | 150°C | - | ||||||
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY1.760(CNY1.9888) 500+ CNY1.490(CNY1.6837) 1000+ CNY1.130(CNY1.2769) 5000+ CNY0.889(CNY1.0046) | N沟道 | N通道 | 30V | 30V | 30V | 4A | 0.03ohm | 4A | 4A | 0.03ohm | 表面安装 | 0.03ohm | 4.5V | SOT-1118 | 1V | 6引脚 | 1W | 1W | 1W | 150°C | - | ||||||
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY2.210(CNY2.4973) 500+ CNY1.580(CNY1.7854) 1000+ CNY0.960(CNY1.0848) 5000+ CNY0.732(CNY0.8272) | 互补N与P沟道 | 互补N与P沟道 | 20V | 20V | 20V | 4A | 0.032ohm | 4A | 4A | 0.042ohm | 表面安装 | 0.07ohm | 4.5V | TSOT-26 | 1.2V | 6引脚 | 1.1W | 1.1W | 1.1W | 150°C | - | ||||||
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY3.100(CNY3.503) 500+ CNY2.370(CNY2.6781) 1000+ CNY1.830(CNY2.0679) 5000+ CNY1.590(CNY1.7967) | 互补N与P沟道 | 互补N与P沟道 | 20V | 20V | 20V | 4A | 0.045ohm | 4A | 4A | 0.045ohm | 表面安装 | 0.045ohm | 4.5V | ChipFET | 600mV | 8引脚 | 3.1W | 3.1W | 3.1W | 150°C | Trench Series | ||||||
