打印页面
NTHD4508NT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm
已停产
产品概述
The NTHD4508NT1G is a ChipFET™ dual N-channel Power MOSFET designed for battery and low side switching in portable equipment such as MP3 players, cell phones, DSCs and PDAs. It is suitable for DC-to-DC buck/boost converter and level shifting applications.
- Low RDS (ON) and fast switching
- Excellent thermal capabilities where heat transfer is required
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
4.1A
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.1W
产品范围
-
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4.1A
晶体管封装类型
ChipFET
耗散功率N沟道
2.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000005