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双MOSFET :
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连续漏极电流 Id N沟道
=4.1A
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压Vds P沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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漏源通态电阻N沟道
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漏源导通电阻P沟道
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针脚数
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耗散功率N沟道
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压Vds P沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 漏源导通电阻P沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY4.110(CNY4.6443) 50+ CNY3.740(CNY4.2262) 100+ CNY3.370(CNY3.8081) 500+ CNY3.230(CNY3.6499) 1000+ CNY3.170(CNY3.5821) | N和P沟道 | 100V | 100V | 4.1A | 4.1A | 0.0594ohm | 0.0594ohm | SOIC | 8引脚 | 3.1W | 3.1W | 150°C | ||||||
每个 | 1+ CNY15.090(CNY17.0517) 10+ CNY11.540(CNY13.0402) 100+ CNY8.970(CNY10.1361) 500+ CNY7.200(CNY8.136) 1000+ CNY6.340(CNY7.1642) 更多价格信息... | N通道 | 20V | 20V | 4.1A | 4.1A | 0.024ohm | 0.024ohm | TSSOP | 8引脚 | 830mW | 830mW | 150°C | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY8.410(CNY9.5033) 10+ CNY6.960(CNY7.8648) 100+ CNY5.890(CNY6.6557) 500+ CNY4.950(CNY5.5935) 1000+ CNY4.630(CNY5.2319) 更多价格信息... | N通道 | 20V | 20V | 4.1A | 4.1A | - | - | ChipFET | 8引脚 | 2.1W | 2.1W | 150°C | ||||||
