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DMN32D2LDF-7
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 100 | CNY1.360 | CNY136.00 |
切割卷带
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 100+ | CNY1.360 (CNY1.5368) |
| 500+ | CNY0.900 (CNY1.017) |
| 1500+ | CNY0.883 (CNY0.9978) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY0.663 (CNY0.7492) |
| 9000+ | CNY0.546 (CNY0.617) |
品項附註
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMN32D2LDF-7复制
库存编号
整卷4318616
切割卷带3577047
切割卷带3577047RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道400mA
连续漏极电流 Id P沟道400mA
漏源通态电阻N沟道1.2ohm
漏源导通电阻P沟道1.2ohm
晶体管封装类型SOT-353
针脚数5引脚
耗散功率N沟道280mW
耗散功率P沟道280mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
400mA
漏源导通电阻P沟道
1.2ohm
针脚数
5引脚
耗散功率P沟道
280mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
400mA
漏源通态电阻N沟道
1.2ohm
晶体管封装类型
SOT-353
耗散功率N沟道
280mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002