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双MOSFET :
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耗散功率P沟道
=280mW
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压Vds P沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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漏源通态电阻N沟道
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漏源导通电阻P沟道
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针脚数
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压Vds P沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 漏源导通电阻P沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 | 产品范围 | 合规 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY2.750(CNY3.1075) 50+ CNY2.040(CNY2.3052) 100+ CNY1.280(CNY1.4464) 500+ CNY0.943(CNY1.0656) 1500+ CNY0.831(CNY0.939) | N通道 | 60V | 60V | 320mA | 320mA | 1.6ohm | 1.6ohm | SOT-363 | 6引脚 | 280mW | 280mW | 150°C | - | AEC-Q101 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY3.680(CNY4.1584) 50+ CNY2.170(CNY2.4521) 100+ CNY1.470(CNY1.6611) 500+ CNY1.150(CNY1.2995) 1500+ CNY1.010(CNY1.1413) | 互补N与P沟道 | 30V | 30V | 350mA | 350mA | 1ohm | 1ohm | SOT-363 | 6引脚 | 280mW | 280mW | 150°C | - | AEC-Q101 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY1.770(CNY2.0001) 50+ CNY1.170(CNY1.3221) 250+ CNY0.831(CNY0.939) 1000+ CNY0.755(CNY0.8532) 2000+ CNY0.688(CNY0.7774) | P通道 | 20V | 20V | 430mA | 430mA | 0.9ohm | 0.9ohm | SOT-563 | 6引脚 | 280mW | 280mW | 150°C | - | - | ||||||
每个 | 5+ CNY3.360(CNY3.7968) 10+ CNY2.020(CNY2.2826) 100+ CNY1.280(CNY1.4464) 500+ CNY0.938(CNY1.0599) 1000+ CNY0.831(CNY0.939) 更多价格信息... | P通道 | 30V | 30V | 200mA | 200mA | 2.8ohm | 2.8ohm | SOT-363 | 6引脚 | 280mW | 280mW | 150°C | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY2.110(CNY2.3843) 50+ CNY1.850(CNY2.0905) 100+ CNY1.580(CNY1.7854) 500+ CNY0.998(CNY1.1277) 1500+ CNY0.979(CNY1.1063) | N通道 | 30V | 30V | 400mA | 400mA | 1.2ohm | 1.2ohm | SOT-353 | 5引脚 | 280mW | 280mW | 150°C | - | AEC-Q101 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY4.810(CNY5.4353) 10+ CNY3.290(CNY3.7177) 100+ CNY2.100(CNY2.373) 500+ CNY1.330(CNY1.5029) 1000+ CNY1.160(CNY1.3108) 更多价格信息... | 双P通道 | - | 20V | - | 570mA | - | 0.77ohm | DFN1010B | 6引脚 | - | 280mW | 150°C | TrenchMOS Series | - | ||||||
