打印页面
DMC2057UVT-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.042 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
2,575 有货
需要更多？
2575 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY4.110 | CNY20.55 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.110 (CNY4.6443) |
| 10+ | CNY2.080 (CNY2.3504) |
| 100+ | CNY1.550 (CNY1.7515) |
| 500+ | CNY1.260 (CNY1.4238) |
| 1000+ | CNY0.770 (CNY0.8701) |
| 5000+ | CNY0.710 (CNY0.8023) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMC2057UVT-7
库存编号
复卷3944026RL
切割卷带3944026
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
晶体管极性互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续4A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.032ohm
连续漏极电流 Id N沟道4A
连续漏极电流 Id P沟道4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.042ohm
漏源导通电阻P沟道0.07ohm
Rds(on)测试电压4.5V
晶体管封装类型TSOT-26
阈值栅源电压最大值1.2V
功耗 Pd1.1W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.1W
耗散功率P沟道1.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
4A
在电阻RDS（上）
0.032ohm
连续漏极电流 Id P沟道
4A
漏源通态电阻N沟道
0.042ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.07ohm
晶体管封装类型
TSOT-26
功耗 Pd
1.1W
耗散功率N沟道
1.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001