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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY16.120 | CNY80.60 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY16.120 (CNY18.2156) |
| 50+ | CNY14.470 (CNY16.3511) |
| 100+ | CNY12.820 (CNY14.4866) |
| 500+ | CNY10.810 (CNY12.2153) |
| 1000+ | CNY10.640 (CNY12.0232) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2000+ | CNY9.380 (CNY10.5994) |
| 6000+ | CNY9.360 (CNY10.5768) |
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产品概述
SUD50P08-25L-E3 is a P-channel 80-V (D-S) 175°C MOSFET.
- TrenchFET® power MOSFET
- Drain-source breakdown voltage is -80V min at VGS = 0V, ID = - 250µA, TJ = 25°C
- Zero gate voltage drain current is -1µA max at VDS = -80V, VGS = 0V, TJ = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 0.021ohm typ at VGS = -10V, ID = -12.5A, TJ = 25°C
- Continuous source-drain diode current is -50A max at TC = 25°C
- Body diode reverse recovery charge is 110nC typ at IF = -10.5A, di/dt = 100A/µs, TJ = 25°C
- Gate resistance is 4ohm typ at f = 1MHz
- Reverse recovery fall time is 37ns typ at IF = -10.5A, di/dt = 100A/µs, TJ = 25°C
- Reverse recovery rise time is 18ns typ at IF = -10.5A, di/dt = 100A/µs, TJ = 25°C
- Operating junction and storage temperature range from -55 to 175°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
136W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0252ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
TrenchFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000426