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SQW33N65EF-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 34 A, 0.109 ohm, TO-247AD, 通孔
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| 10+ | CNY37.620 (CNY42.5106) |
| 100+ | CNY24.530 (CNY27.7189) |
| 500+ | CNY24.040 (CNY27.1652) |
| 1000+ | CNY23.550 (CNY26.6115) |
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产品概述
E series power MOSFET with fast body diode is typically used in applications such as automotive on-board charger and automotive DC/DC converter.
- Fast body diode MOSFET using E series technology
- Reduced trr, Qrr, and IRRM
- Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg
- Low input capacitance (Ciss)
- Low switching losses due to reduced Qr
- 175°C operating temperature
- AEC-Q101 qualified
- Ultra low gate charge (Qg)
- Avalanche energy rated (UIS)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
34A
晶体管封装类型
TO-247AD
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
375W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.109ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
E
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536