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SQJQ980EL-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 80 V, 36 A, 36 A, 3600 µohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY27.420 | CNY27.42 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY27.420 (CNY30.9846) |
| 10+ | CNY17.830 (CNY20.1479) |
| 100+ | CNY12.580 (CNY14.2154) |
| 500+ | CNY10.220 (CNY11.5486) |
| 1000+ | CNY10.140 (CNY11.4582) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJQ980EL-T1_GE3复制
库存编号
复卷3470683RL
切割卷带3470683
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道80V
漏源电压Vds P沟道80V
连续漏极电流 Id N沟道36A
连续漏极电流 Id P沟道36A
漏源通态电阻N沟道3600µohm
漏源导通电阻P沟道3600µohm
晶体管封装类型PowerPAK
针脚数8引脚
耗散功率N沟道187W
耗散功率P沟道187W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
80V
连续漏极电流 Id P沟道
36A
漏源导通电阻P沟道
3600µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
187W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
36A
漏源通态电阻N沟道
3600µohm
晶体管封装类型
PowerPAK
耗散功率N沟道
187W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00018