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SQJQ141EL-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 40 V, 390 A, 2000 µohm, PowerPAK, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY35.100 | CNY35.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY35.100 (CNY39.663) |
| 10+ | CNY23.160 (CNY26.1708) |
| 100+ | CNY16.370 (CNY18.4981) |
| 500+ | CNY14.050 (CNY15.8765) |
| 1000+ | CNY13.770 (CNY15.5601) |
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产品概述
SQJQ141EL-T1_GE3 是一款汽车级 P 沟道 MOSFET。
- AEC-Q101认证
- 100 %Rg和UIS测试
- 极低的热阻
- 在 VGS=0，ID=250μA，TC=25°C 时，漏源击穿电压为-40V（最小值）
- 在 VDS = 0V、VGS = ±20V、TC = 25°C 时，栅极-源极漏电流最大为 ±100nA
- 在 VDS ≥ -5V、VGS = -10V、TC = 25°C 时，导通漏极电流至少为 -100A
- 在 ID = 8A、VGS = -4.5V、TC = 25°C 时，漏源导通电阻典型值为 0.002 ohm
- 在 IF = -50A、VGS = 0、TC = 25°C 时，正向电压典型值为 -0.8V
- PowerPAK 8 x 8L 封装
- 工作结温和存储温度范围为 -55 至 +175°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
390A
晶体管封装类型
PowerPAK
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
600W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
2000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
4引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001