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SQJA26EP-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 410 A, 770 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY20.650 | CNY20.65 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.650 (CNY23.3345) |
| 10+ | CNY13.340 (CNY15.0742) |
| 100+ | CNY9.150 (CNY10.3395) |
| 500+ | CNY7.330 (CNY8.2829) |
| 1000+ | CNY6.430 (CNY7.2659) |
| 5000+ | CNY6.310 (CNY7.1303) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQJA26EP-T1_GE3复制
制造商标准货期62 周
库存编号
复卷3801708RL
切割卷带3801708
产品范围TrenchFET Gen IV
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续410A
漏源接通状态电阻770µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散500W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Gen IV
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
- Automotive N-channel 30V (D-S) 175°C MOSFET
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- AEC-Q101 qualified
- 100% Rg and UIS tested
- Qgd/Qgs ratio <lt/> 1 optimizes switching characteristics
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
410A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
500W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
770µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen IV
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.02268