打印页面
SQJ850EP-T1_GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 24 A, 0.023 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
制造商标准交货时间：33 周
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.570 (CNY23.2441) |
| 10+ | CNY13.260 (CNY14.9838) |
| 100+ | CNY9.150 (CNY10.3395) |
| 500+ | CNY7.300 (CNY8.249) |
| 1000+ | CNY6.400 (CNY7.232) |
| 5000+ | CNY6.280 (CNY7.0964) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY20.57 (CNY23.24 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
SQJ850EP-T1_GE3 是一款60VDS TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 带反并联二极管。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- AEC-Q101合规
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至175°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
24A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
45W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.023ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002