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SQD50N06-07L-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 50 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
已停产
SQD50N06-07L-GE3 的替代之选
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产品概述
The SQD50N06-07L-GE3 is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- AEC-Q101 qualified
- Package with low thermal resistance
- Halogen-free
- -55 to 175°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
136W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
7600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003