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SQ1922AEEH-T1_GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.570 | CNY27.85 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.570 (CNY6.2941) |
| 10+ | CNY3.470 (CNY3.9211) |
| 100+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
| 500+ | CNY1.710 (CNY1.9323) |
| 1000+ | CNY1.300 (CNY1.469) |
| 5000+ | CNY1.160 (CNY1.3108) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SQ1922AEEH-T1_GE3
库存编号
复卷3104164RL
切割卷带3104164
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道850mA
连续漏极电流 Id P沟道850mA
漏源通态电阻N沟道0.21ohm
漏源导通电阻P沟道0.21ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1.5W
耗散功率P沟道1.5W
工作温度最高值175°C
产品范围TrenchFET Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
850mA
漏源导通电阻P沟道
0.21ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1.5W
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
850mA
漏源通态电阻N沟道
0.21ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
1.5W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.009