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SIZF920DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 700 µohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY21.340 | CNY21.34 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY21.340 (CNY24.1142) |
| 10+ | CNY13.800 (CNY15.594) |
| 100+ | CNY9.530 (CNY10.7689) |
| 500+ | CNY7.860 (CNY8.8818) |
| 1000+ | CNY7.630 (CNY8.6219) |
| 5000+ | CNY7.380 (CNY8.3394) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZF920DT-T1-GE3
库存编号
复卷3019151RL
切割卷带3019151
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道197A
连续漏极电流 Id P沟道197A
漏源通态电阻N沟道700µohm
漏源导通电阻P沟道700µohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数8引脚
耗散功率N沟道74W
耗散功率P沟道74W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV SkyFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
197A
漏源导通电阻P沟道
700µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
74W
产品范围
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
197A
漏源通态电阻N沟道
700µohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
74W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001