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SIZF918DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N沟道+肖特基, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 1200 µohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY11.480 | CNY11.48 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.480 (CNY12.9724) |
| 10+ | CNY9.380 (CNY10.5994) |
| 100+ | CNY7.310 (CNY8.2603) |
| 500+ | CNY6.200 (CNY7.006) |
| 1000+ | CNY5.680 (CNY6.4184) |
| 5000+ | CNY5.220 (CNY5.8986) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZF918DT-T1-GE3
库存编号
复卷2932987RL
切割卷带2932987
技术数据表
通道类型N沟道+肖特基
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道60A
漏源通态电阻N沟道1200µohm
漏源导通电阻P沟道1200µohm
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数8引脚
耗散功率N沟道50W
耗散功率P沟道50W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV SkyFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N沟道+肖特基
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
60A
漏源导通电阻P沟道
1200µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
50W
产品范围
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
1200µohm
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
50W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003