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SIZF4800LDT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 80 V, 36 A, 0.016 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY17.830 | CNY17.83 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY17.830 (CNY20.1479) |
| 10+ | CNY11.510 (CNY13.0063) |
| 100+ | CNY7.860 (CNY8.8818) |
| 500+ | CNY6.260 (CNY7.0738) |
| 1000+ | CNY5.770 (CNY6.5201) |
| 5000+ | CNY5.660 (CNY6.3958) |
品項附註
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技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管封装类型
PowerPAIR 3 x 3FS
耗散功率N沟道
56.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压Vds N沟道
80V
连续漏极电流 Id N沟道
36A
漏源通态电阻N沟道
0.016ohm
针脚数
12引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074