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SIZ320DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 25 V, 40 A, 3530 µohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.140 (CNY11.4582) |
| 10+ | CNY6.370 (CNY7.1981) |
| 100+ | CNY4.230 (CNY4.7799) |
| 500+ | CNY3.470 (CNY3.9211) |
| 1000+ | CNY2.760 (CNY3.1188) |
| 5000+ | CNY2.590 (CNY2.9267) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY10.14 (CNY11.46 含税)
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技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管封装类型
PowerPAIR
耗散功率N沟道
31W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压Vds N沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
40A
漏源通态电阻N沟道
3530µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074