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SISF20DN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 52 A, 52 A, 0.01 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY20.040 | CNY20.04 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.040 (CNY22.6452) |
| 10+ | CNY12.810 (CNY14.4753) |
| 100+ | CNY8.920 (CNY10.0796) |
| 500+ | CNY7.500 (CNY8.475) |
| 1000+ | CNY6.290 (CNY7.1077) |
| 5000+ | CNY6.050 (CNY6.8365) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SISF20DN-T1-GE3复制
库存编号
复卷3050578RL
切割卷带3050578
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道52A
连续漏极电流 Id P沟道52A
漏源通态电阻N沟道0.01ohm
漏源导通电阻P沟道0.01ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
针脚数8引脚
耗散功率N沟道69.4W
耗散功率P沟道69.4W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
52A
漏源导通电阻P沟道
0.01ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
69.4W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
52A
漏源通态电阻N沟道
0.01ohm
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
耗散功率N沟道
69.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0011