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SIR403EDP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 40 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY5.320 (CNY6.0116) |
| 10+ | CNY4.520 (CNY5.1076) |
| 100+ | CNY4.280 (CNY4.8364) |
| 500+ | CNY4.040 (CNY4.5652) |
| 1000+ | CNY3.380 (CNY3.8194) |
| 5000+ | CNY3.080 (CNY3.4804) |
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIR403EDP-T1-GE3复制
制造商标准货期53 周
库存编号4853678
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续40A
漏源接通状态电阻0.0065ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散56.8W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
40A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
56.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0065ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015