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SIHK055N60EF-T1GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 40 A, 0.058 ohm, PowerPAK, 表面安装
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| 1+ | CNY68.300 (CNY77.179) |
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| 500+ | CNY35.420 (CNY40.0246) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIHK055N60EF-T1GE3复制
库存编号
切割卷带4014709
切割卷带4014709RL
产品范围EF Gen IV Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续40A
漏源接通状态电阻0.058ohm
晶体管封装类型PowerPAK
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散236W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围EF Gen IV Series
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
40A
晶体管封装类型
PowerPAK
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
236W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.058ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
8引脚
产品范围
EF Gen IV Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000363