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SI9945BDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 5.3 A, 0.046 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY21.380 | CNY106.90 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY21.380 (CNY24.1594) |
| 50+ | CNY16.100 (CNY18.193) |
| 100+ | CNY12.690 (CNY14.3397) |
| 500+ | CNY8.130 (CNY9.1869) |
| 1000+ | CNY7.050 (CNY7.9665) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY8.460 (CNY9.5598) |
| 7500+ | CNY6.470 (CNY7.3111) |
品項附註
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产品概述
SI9945BDY-T1-GE3 是一款60V, 双N沟道TrenchFET® 功率MOSFET。适用于LCD TV CCFL逆变器和负载开关应用。表面安装LITTLE FOOT®功率MOSFET采用集成电路和小信号封装, 经过优化, 提供热传导能力, 适用于功率器件。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
5.3A
漏源通态电阻N沟道
0.046ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000119