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SI9933CDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 4 A
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.990 | CNY24.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.990 (CNY5.6387) |
| 50+ | CNY4.130 (CNY4.6669) |
| 100+ | CNY3.260 (CNY3.6838) |
| 500+ | CNY2.510 (CNY2.8363) |
| 1000+ | CNY2.280 (CNY2.5764) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI9933CDY-T1-GE3复制
库存编号
复卷1779275RL
切割卷带1779275
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道4A
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道0.048ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
SI9933CDY-T1-GE3 是一款-20V, 双P沟道TrenchFET® 功率MOSFET。 适用于DC-DC转换器和负载开关应用。表面安装LITTLE FOOT®功率MOSFET采用集成电路和小信号封装, 经过优化, 提供热传导能力, 适用于功率器件。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
4A
漏源导通电阻P沟道
0.048ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
SI9933CDY-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000358