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SI7994DP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4600 µohm
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7994DP-T1-GE3复制
库存编号2335381
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道60A
漏源通态电阻N沟道4600µohm
漏源导通电阻P沟道4600µohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.5W
耗散功率P沟道3.5W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
The SI7994DP-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for system power DC-to-DC conversion, notebook and server applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
60A
漏源导通电阻P沟道
4600µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.5W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
4600µohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001