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SI7454DDP-T1-GE3
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 21A, 150度 C, 29.7W
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.630 (CNY13.1419) |
| 25+ | CNY10.200 (CNY11.526) |
| 100+ | CNY8.230 (CNY9.2999) |
| 500+ | CNY7.280 (CNY8.2264) |
| 1000+ | CNY6.970 (CNY7.8761) |
| 2500+ | CNY6.660 (CNY7.5258) |
| 5000+ | CNY6.350 (CNY7.1755) |
| 10000+ | CNY6.040 (CNY6.8252) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY11.63 (CNY13.14 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N Channel
漏源接通状态电阻
33mohm
工作温度最高值
150°C
湿气敏感性等级
-
漏源电压, Vds
100V
Rds(on)测试电压
10V
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.000305