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SI7450DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 3.2 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY19.660 | CNY98.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY19.660 (CNY22.2158) |
| 50+ | CNY16.690 (CNY18.8597) |
| 100+ | CNY13.720 (CNY15.5036) |
| 500+ | CNY11.280 (CNY12.7464) |
| 1500+ | CNY11.060 (CNY12.4978) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7450DP-T1-GE3
库存编号
复卷9550690RL
切割卷带9550690
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续3.2A
漏源接通状态电阻0.08ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散1.9W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
The SI7450DP-T1-GE3 is a 200VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch and telecom/server applications.
- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- PWM optimized
- Fast switching
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.2A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.08ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000279