打印页面
SI4936CDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
4,561 有货
15,000 您现在可以预订货品了
4,561 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.480 | CNY32.40 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.480 (CNY7.3224) |
| 50+ | CNY5.410 (CNY6.1133) |
| 100+ | CNY4.330 (CNY4.8929) |
| 500+ | CNY3.440 (CNY3.8872) |
| 1000+ | CNY3.040 (CNY3.4352) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4936CDY-T1-GE3复制
库存编号
复卷1779274RL
切割卷带1779274
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道5.8A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.3W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
SI4936CDY-T1-GE3 是一款双N沟道MOSFET, 表面安装封装。适用于低电流DC-DC转换, 笔记本系统电源应用。
- 无卤素
- TrenchFET® power MOSFET
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
5.8A
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000154