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SI4894BDY-T1-GE3
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 12A
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.170 (CNY17.1421) |
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最低: 1
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品項附註
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技术规格
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
11mohm
功率耗散
1.4W
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
SOIC
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000267