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SI4816BDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N沟道+肖特基, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY19.280 | CNY19.28 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.280 (CNY21.7864) |
| 10+ | CNY12.120 (CNY13.6956) |
| 100+ | CNY8.470 (CNY9.5711) |
| 500+ | CNY6.780 (CNY7.6614) |
| 1000+ | CNY6.480 (CNY7.3224) |
| 5000+ | CNY6.180 (CNY6.9834) |
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产品信息
产品概述
The SI4816BDY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with Schottky diode housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- LITTLE FOOT® Plus power MOSFET
- 100% Rg tested
技术规格
通道类型
N沟道+肖特基
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
5.8A
漏源导通电阻P沟道
0.0155ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.25W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
5.8A
漏源通态电阻N沟道
0.0155ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.25W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000301