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SI4590DY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 100 V, 100 V, 5.6 A, 5.6 A, 0.047 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4590DY-T1-GE3复制
库存编号3772759
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N和P沟道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道5.6A
连续漏极电流 Id P沟道5.6A
漏源通态电阻N沟道0.047ohm
漏源导通电阻P沟道0.047ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.6W
耗散功率P沟道3.6W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
5.6A
漏源导通电阻P沟道
0.047ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.6W
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
5.6A
漏源通态电阻N沟道
0.047ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001