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双MOSFET :
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制造商
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耗散功率N沟道
=3.6W
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通道类型
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压Vds P沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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漏源通态电阻N沟道
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漏源导通电阻P沟道
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晶体管封装类型
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针脚数
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压Vds P沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 漏源导通电阻P沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY10.980(CNY12.4074) 10+ CNY6.890(CNY7.7857) 100+ CNY4.570(CNY5.1641) 500+ CNY3.570(CNY4.0341) 1000+ CNY2.890(CNY3.2657) 更多价格信息... | N通道 | 60V | - | 8A | - | 0.029ohm | - | SOIC | 8引脚 | 3.6W | - | 150°C | TrenchFET Gen IV Series | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY6.920(CNY7.8196) 10+ CNY5.290(CNY5.9777) 100+ CNY4.110(CNY4.6443) 500+ CNY3.300(CNY3.729) 1000+ CNY2.910(CNY3.2883) 更多价格信息... | N和P沟道 | 100V | 100V | 5.6A | 5.6A | 0.047ohm | 0.047ohm | SOIC | 8引脚 | 3.6W | 3.6W | 150°C | TrenchFET Series | ||||||
