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SI4554DY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.02 ohm
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| 500+ | CNY3.700 (CNY4.181) |
| 1000+ | CNY3.010 (CNY3.4013) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4554DY-T1-GE3复制
库存编号2283667
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道8A
漏源通态电阻N沟道0.02ohm
漏源导通电阻P沟道0.02ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.2W
耗散功率P沟道3.2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源导通电阻P沟道
0.02ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.2W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.02ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00012