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双MOSFET :
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耗散功率N沟道
=3.2W
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漏源电压Vds N沟道
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漏源电压Vds P沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
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连续漏极电流 Id P沟道
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漏源通态电阻N沟道
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漏源导通电阻P沟道
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晶体管封装类型
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针脚数
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压Vds N沟道 | 漏源电压Vds P沟道 | 连续漏极电流 Id N沟道 | 连续漏极电流 Id P沟道 | 漏源通态电阻N沟道 | 漏源导通电阻P沟道 | 晶体管封装类型 | 针脚数 | 耗散功率N沟道 | 耗散功率P沟道 | 工作温度最高值 | 合规 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY5.500(CNY6.215) 10+ CNY4.940(CNY5.5822) 100+ CNY4.650(CNY5.2545) 500+ CNY4.330(CNY4.8929) 1000+ CNY4.030(CNY4.5539) 更多价格信息... | N通道 | 60V | 60V | 8A | 8A | 0.024ohm | - | SOIC | 8引脚 | 3.2W | 3.2W | 175°C | AEC-Q101 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY10.770(CNY12.1701) 10+ CNY7.740(CNY8.7462) 100+ CNY5.990(CNY6.7687) 500+ CNY4.690(CNY5.2997) 1000+ CNY4.080(CNY4.6104) 更多价格信息... | P通道 | 40V | 40V | 8A | 8A | - | - | SOIC | 8引脚 | 3.2W | 3.2W | 150°C | - | ||||||
每个 | 1+ CNY11.420(CNY12.9046) 10+ CNY7.090(CNY8.0117) 100+ CNY4.750(CNY5.3675) 500+ CNY3.780(CNY4.2714) 1000+ CNY2.980(CNY3.3674) 更多价格信息... | 互补N与P沟道 | 40V | 40V | 8A | 8A | 0.02ohm | 0.02ohm | SOIC | 8引脚 | 3.2W | 3.2W | 150°C | - | ||||||
