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SI4435FDY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 12.6 A, 0.019 ohm, SOIC, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.700 | CNY18.50 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.700 (CNY4.181) |
| 50+ | CNY3.050 (CNY3.4465) |
| 100+ | CNY2.390 (CNY2.7007) |
| 500+ | CNY1.810 (CNY2.0453) |
| 1000+ | CNY1.640 (CNY1.8532) |
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产品概述
SI4435FDY-T1-GE3 is a P-channel 30V (D-S) MOSFET. Typical applications include adapter switch, load switch, DC/DC converters, high speed switching, power management in battery-operated, mobile and wearable devices.
- TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET
- 100% Rg tested
- Drain-source breakdown voltage is -30V min at VGS = 0V, ID = -250μA, TJ = 25°C
- Gate-source leakage is ±100nA max at VDS = 0V, VGS = ±20V, TJ = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 0.015ohm typ at VGS = -10V, ID = -9A, TJ = 25°C
- Total gate charge is 28nC typ at VDS = -15V, VGS = -10V, ID = -5A, TJ = 25°C
- Continuous source-drain diode current is -4A max ta TC = 25°C
- Body diode reverse recovery time is 20ns typ at IF = -5A, dI/dt = 100A/μs, TJ = 25°C
- SO-8 package
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
12.6A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
4.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.019ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET III
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000129