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SI4288DY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.0165 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY11.030 | CNY55.15 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY11.030 (CNY12.4639) |
| 50+ | CNY9.190 (CNY10.3847) |
| 100+ | CNY7.350 (CNY8.3055) |
| 500+ | CNY6.200 (CNY7.006) |
| 1000+ | CNY5.330 (CNY6.0229) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY5.220 (CNY5.8986) |
| 7500+ | CNY5.120 (CNY5.7856) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4288DY-T1-GE3
库存编号
整卷3879344
复卷2056718RL
切割卷带2056718
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道9.2A
连续漏极电流 Id P沟道9.2A
漏源通态电阻N沟道0.0165ohm
漏源导通电阻P沟道0.0165ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
The SI4288DY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for CCFL inverter, DC-to-DC converter and HDD applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
9.2A
漏源导通电阻P沟道
0.0165ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
9.2A
漏源通态电阻N沟道
0.0165ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000726