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SI4153DY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 19.3 A, 9500 µohm, SOIC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.330 | CNY31.65 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.330 (CNY7.1529) |
| 50+ | CNY5.250 (CNY5.9325) |
| 100+ | CNY4.170 (CNY4.7121) |
| 500+ | CNY3.240 (CNY3.6612) |
| 1000+ | CNY2.940 (CNY3.3222) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4153DY-T1-GE3
库存编号
复卷3927778RL
切割卷带3927778
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续19.3A
漏源接通状态电阻9500µohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散5.6W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen III Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
19.3A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
5.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
9500µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Gen III Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001