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19.3A 单MOSFET:
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通道类型
漏源电压, Vds
电流, Id 连续
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
晶体管安装
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
功率耗散
针脚数
工作温度最高值
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY7.200 (CNY8.136)50+ CNY5.950 (CNY6.7235)100+ CNY4.700 (CNY5.311)500+ CNY3.620 (CNY4.0906)1000+ CNY3.270 (CNY3.6951) | N通道 | 30V | 19.3A | 7900µohm | SOIC | 表面安装 | 10V | 1V | 5W | 8引脚 | 150°C | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY6.330 (CNY7.1529)50+ CNY5.250 (CNY5.9325)100+ CNY4.170 (CNY4.7121)500+ CNY3.240 (CNY3.6612)1000+ CNY2.940 (CNY3.3222) | P通道 | 30V | 19.3A | 9500µohm | SOIC | 表面安装 | 10V | 2.5V | 5.6W | 8引脚 | 150°C | TrenchFET Gen III Series | ||||||
