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SI4062DY-T1-GE3
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 32.1A, 150度 C, 7.8W
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.220 (CNY20.5886) |
| 10+ | CNY12.280 (CNY13.8764) |
| 25+ | CNY11.120 (CNY12.5656) |
| 50+ | CNY10.030 (CNY11.3339) |
| 100+ | CNY8.870 (CNY10.0231) |
| 250+ | CNY8.120 (CNY9.1756) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY18.22 (CNY20.59 含税)
品項附註
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技术规格
漏源电压, Vds
60V
Rds(on)测试电压
10V
工作温度最高值
150°C
合规
-
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
2.6V
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.000339