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SI2301CDS-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.510 (CNY8.4863) |
| 10+ | CNY4.780 (CNY5.4014) |
| 100+ | CNY3.100 (CNY3.503) |
| 500+ | CNY2.230 (CNY2.5199) |
| 1000+ | CNY1.450 (CNY1.6385) |
| 5000+ | CNY1.430 (CNY1.6159) |
包装规格：每个
最低: 5
多件: 5
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产品概述
SI2301CDS-T1-E3 是一款-20V P沟道TrenchFET®功率MOSFET。表面安装LITTLE FOOT®功率MOSFET采用集成电路和小信号封装, 经过优化, 提供热传导能力, 适用于功率器件。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- Drain-source breakdown voltage is -20V min (VGS = 0V, ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from -0.4 to 1V (VDS = VGS, ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current is - 3.1A (TJ = 150 °C, TC = 25°C)
- Pulsed drain current is -10A (TA = 25°C)
- Continuous source-drain diode current is -1.3A (TC = 25°C, TA = 25°C)
- Maximum power dissipation is 1.6W (TC = 25°C, TA = 25°C)
- VDS temperature coefficient is -18mV/°C typ (ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 9.5S typ (VDS = - 5V, ID = - 2.8A, TJ = 25°C)
- SOT-23 package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3.1A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
2.5V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.112ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
SI2301CDS-T1-E3 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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产品合规证书
重量（千克）：.00005