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SI2300DS-T1-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3
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| 500+ | CNY1.640 (CNY1.8532) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2300DS-T1-GE3复制
库存编号2459407
技术数据表
通道类型N Channel
漏源电压, Vds30V
漏源接通状态电阻0.068ohm
晶体管封装类型SOT-23
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值600mV
工作温度最高值150°C
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N Channel
漏源接通状态电阻
0.068ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
工作温度最高值
150°C
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
漏源电压, Vds
30V
晶体管封装类型
SOT-23
阈值栅源电压最大值
600mV
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000044