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SI1539CDL-T1-BE3
场效应管, MOSFET, N沟道与P沟道, 30V, 0.7A, SOT-363
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|---|---|
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| 10+ | CNY2.790 (CNY3.1527) |
| 100+ | CNY1.790 (CNY2.0227) |
| 500+ | CNY1.350 (CNY1.5255) |
| 1000+ | CNY1.060 (CNY1.1978) |
| 5000+ | CNY0.824 (CNY0.9311) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI1539CDL-T1-BE3复制
库存编号3772602
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N and P Channel
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
漏源导通电阻P沟道0.323ohm
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (07-Nov-2024)
技术规格
通道类型
N and P Channel
漏源电压Vds P沟道
30V
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源导通电阻P沟道
0.323ohm
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (07-Nov-2024)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033